酿酒酵母感受态细胞

产品规格 (CAT#: YC1081)
∆ycf1 Competent Cell: 100μl/支 保存: -80℃(3个月)
pYES2 (control vector, 10 ng/μl) 10μl 保存:-80℃(12个月)
Carrier DNA (10 μg/μl) 100μl 保存:-20℃(12个月)
PEG/LiAC: 5ml 保存: 4℃(12个月)
|
产品名称 |
产品货号 |
产品规格 |
说明书下载 |
|
∆ycf1 感受态细胞 |
YC1081S |
10×100ul |
![]() |
| YC1081M | 50×100ul |
基因型
MATa his3Δ1 leu2 met15Δ ura3-52 YCF1::kanMX4 YDR135c
产品说明
∆ycf1菌株来源于BY4741酵母菌株,将酵母菌内源的YCF1基因突变,即为∆ycf1。YCF1(Yeast Cadmium Factor 1/酵母镉因子1)可将重金属和谷胱甘肽螯合到液泡中对抗细胞应激反应,广泛参与到各种重金属(砷、镉、汞、铜、锰、锌等)的吸收、转运过程中,∆ycf1是研究各种重金属相关基因功能的常用菌株。筛选标记(Transformation marker)为:leu2,ura3,his3,可配合诱导型质粒pYES2、pESC-HIS/LEU/URA或组成型表达质粒 pGADT7等使用。∆ycf1感受态细胞经特殊工艺制作,-80℃可保存三个月,pYES2质粒(5857bp,AmpR)检测转化效率>104 cfu/μg DNA。
操作方法
1. Carrier DNA 的预处理:将Carrier DNA 插入95℃金属浴5 min或插入浮漂中95℃水浴3 min,加热后快速插入冰中。
2. 取100 µl冰上融化的∆ycf1感受态细胞,依次加入预冷的目的质粒2-5 µg,预处理后的Carrier DNA 10 µl,PEG/LiAc 500 µl并吸打几次混匀,30℃水浴30 min (15 min时翻转6-8次混匀)。
3. 将管放42℃水浴15 min (7.5 min时翻转6-8次混匀)。
4. 5000 rpm离心 40 s弃上清,ddH2O 400 µl 重悬,离心 30s弃上清。
5. ddH2O 50 µl重悬,涂板(筛选平板可根据转化质粒的筛选标记选择SD缺陷型平板),29℃培养48-96 h。
培养基配制
|
① YPDA (1L) (唯地CAT#:YM1020): Tryptone 20g Yeast extract 10g 0.2% adenine 15ml 补水到 950ml,用盐酸调PH到6.5; Agar 20g(for plates only) 121℃,15 min高压灭菌; 待培养基温度降到55℃时,加入已过滤的40% 葡萄糖 50 ml。
③ 0.2% adenine (1L) (唯地CAT#:YC6030) Adenine 2g; 补水到1L;溶解后高压灭菌或0.22µm 滤膜过滤除菌。
④ pYES2蛋白诱导用诱导培养基:SGR/-Ura (唯地CAT#:YEM3134): pESC-HIS/LEU/URA蛋白诱导分别用诱导培养基:SGR/-His、SGR/-Leu、SGR/-Ura(唯地CAT#:YEM3131/3132/3134),1L配方如下: Yeast Nitrogen base 6.7g Dropout (对应的氨基酸混合物) 适量(按说明书) 补水到 800ml,调PH至5.8,121℃,15 min高压灭菌; 待培养基温度降到55℃时,加入已过滤的carbon source:100 ml 20% 半乳糖,100 ml 10% 棉子糖。 |
② SD medium (1L) (唯地CAT#:YM3101-YM3611): Yeast Nitrogen base 6.7g 葡萄糖 20g Dropout 适量(按说明书) 补水到1L,调PH至5.8; Agar 20g(for plates only) 121℃,15 min高压灭菌。
|
注意事项
1. 感受态细胞最好在冰上融化,转化高浓度的质粒可相应减少最终用于涂板的菌量,同时转化2-3种质粒时可增加质粒的用量。
2. ∆ycf1酵母菌株对高温敏感,最适生长温度为27-30℃;高于31℃,生长速度和转化效率呈指数下降。
3. 菌落变粉不是污染,是酵母细胞生长中一个常见现象。当细胞在平板培养几天后,平板上的Adenine被酵母消耗完毕,酵母试图通过自身代谢途径合成Adenine以供利用,然而,有些菌株的ADE2基因被破坏,Adenine合成途径受阻;又由于其ADE4,5,6,7,8基因均正常,所以造成中间产物P-ribosylamino imidazole (AIR) 在细胞中积累而使菌落变为粉红色。
4. 酵母在缺陷培养基中生长速度比YPDA培养基慢,培养基中缺陷成分越多,生长越慢,以转化涂板为例:涂YPDA平板29℃,48 h培养可见直径1 mm克隆;涂SD单缺平板29℃,48-60 h培养可见直径1 mm克隆。
|
产品名称 |
产品货号 |
产品规格 |
说明书下载 |
|
∆ycf1 感受态细胞 |
YC1081S |
10×100ul |
![]() |
| YC1081M | 50×100ul |
基因型
MATa his3Δ1 leu2 met15Δ ura3-52 YCF1::kanMX4 YDR135c
产品说明
∆ycf1菌株来源于BY4741酵母菌株,将酵母菌内源的YCF1基因突变,即为∆ycf1。YCF1(Yeast Cadmium Factor 1/酵母镉因子1)可将重金属和谷胱甘肽螯合到液泡中对抗细胞应激反应,广泛参与到各种重金属(砷、镉、汞、铜、锰、锌等)的吸收、转运过程中,∆ycf1是研究各种重金属相关基因功能的常用菌株。筛选标记(Transformation marker)为:leu2,ura3,his3,可配合诱导型质粒pYES2、pESC-HIS/LEU/URA或组成型表达质粒 pGADT7等使用。∆ycf1感受态细胞经特殊工艺制作,-80℃可保存三个月,pYES2质粒(5857bp,AmpR)检测转化效率>104 cfu/μg DNA。
操作方法
1. Carrier DNA 的预处理:将Carrier DNA 插入95℃金属浴5 min或插入浮漂中95℃水浴3 min,加热后快速插入冰中。
2. 取100 µl冰上融化的∆ycf1感受态细胞,依次加入预冷的目的质粒2-5 µg,预处理后的Carrier DNA 10 µl,PEG/LiAc 500 µl并吸打几次混匀,30℃水浴30 min (15 min时翻转6-8次混匀)。
3. 将管放42℃水浴15 min (7.5 min时翻转6-8次混匀)。
4. 5000 rpm离心 40 s弃上清,ddH2O 400 µl 重悬,离心 30s弃上清。
5. ddH2O 50 µl重悬,涂板(筛选平板可根据转化质粒的筛选标记选择SD缺陷型平板),29℃培养48-96 h。
培养基配制
|
① YPDA (1L) (唯地CAT#:YM1020): Tryptone 20g Yeast extract 10g 0.2% adenine 15ml 补水到 950ml,用盐酸调PH到6.5; Agar 20g(for plates only) 121℃,15 min高压灭菌; 待培养基温度降到55℃时,加入已过滤的40% 葡萄糖 50 ml。
③ 0.2% adenine (1L) (唯地CAT#:YC6030) Adenine 2g; 补水到1L;溶解后高压灭菌或0.22µm 滤膜过滤除菌。
④ pYES2蛋白诱导用诱导培养基:SGR/-Ura (唯地CAT#:YEM3134): pESC-HIS/LEU/URA蛋白诱导分别用诱导培养基:SGR/-His、SGR/-Leu、SGR/-Ura(唯地CAT#:YEM3131/3132/3134),1L配方如下: Yeast Nitrogen base 6.7g Dropout (对应的氨基酸混合物) 适量(按说明书) 补水到 800ml,调PH至5.8,121℃,15 min高压灭菌; 待培养基温度降到55℃时,加入已过滤的carbon source:100 ml 20% 半乳糖,100 ml 10% 棉子糖。 |
② SD medium (1L) (唯地CAT#:YM3101-YM3611): Yeast Nitrogen base 6.7g 葡萄糖 20g Dropout 适量(按说明书) 补水到1L,调PH至5.8; Agar 20g(for plates only) 121℃,15 min高压灭菌。
|
注意事项
1. 感受态细胞最好在冰上融化,转化高浓度的质粒可相应减少最终用于涂板的菌量,同时转化2-3种质粒时可增加质粒的用量。
2. ∆ycf1酵母菌株对高温敏感,最适生长温度为27-30℃;高于31℃,生长速度和转化效率呈指数下降。
3. 菌落变粉不是污染,是酵母细胞生长中一个常见现象。当细胞在平板培养几天后,平板上的Adenine被酵母消耗完毕,酵母试图通过自身代谢途径合成Adenine以供利用,然而,有些菌株的ADE2基因被破坏,Adenine合成途径受阻;又由于其ADE4,5,6,7,8基因均正常,所以造成中间产物P-ribosylamino imidazole (AIR) 在细胞中积累而使菌落变为粉红色。
4. 酵母在缺陷培养基中生长速度比YPDA培养基慢,培养基中缺陷成分越多,生长越慢,以转化涂板为例:涂YPDA平板29℃,48 h培养可见直径1 mm克隆;涂SD单缺平板29℃,48-60 h培养可见直径1 mm克隆。




